株式会社アールデック

AEV-11 超高真空タイプ1源エバポレーター





特長
AEV-11は、金属や半導体の単原子層や薄膜の作製を目的に設計されております。
ロッド状材料を電子ビーム加熱し、高純度の蒸発を行うことができます。

到達温度は、Fe、Co、Ni、Ta、Wなどの材料を蒸発させるのに十分な温度です。
また、オプションとしてルツボをご用意しておりますので、ロッド状材料以外の材料でも蒸着可能となっております。



内蔵フラックスモニター
イオンゲージと同様の原理で、蒸発した分子の 一部がフィラメントからの熱電子によりイオン化され、
その時のイオン電流を測定することによって蒸着速度をモニターすることが可能です。
AEV-1P-300専用コントローラーと組み合わせれば、フラックスの 数値設定により蒸着レートの
一定制御が可能で且つ、標準装備のビーム可変機構に より蒸着エリアの調整が真空を壊すことなく
行えます。ロッド状材料が蒸着中に 減少しても、試料移動機構により超高真空を壊すことなく最適な
蒸着試料位置の 設定が可能。材料の交換は、本体を真空装置から取り外すことなく、
試料移動機構下部のφ34ICFフランジより交換が簡単に行える設計で、メンテナンス性に優れております。





仕様
・ワーキングディスタンスは先端より150mm
・蒸着エリア:φ4~φ20mm程度
  (アパーチャー交換にて変更可能)
・水冷シュラウド付(冷却水:30℃以下、0.5L/min)
・手動シャッター付
・ロッド(高融点材料等)、または、ルツボからの蒸発(オプション)
・温度範囲:~3300℃
・標準蒸発速度:数原子層/min
・蒸着制御用内蔵フラックスモニター付
  (専用電源(AEV-1P-300)にて、蒸発レートコントロールが可能)
・蒸発材料の位置決め用の中空型直線移動導入機構付(ストローク30mm)
・φ70ICFフランジに取り付け(管の内径はφ35mm以上必要)
・ベーキングは200℃以下
・試料移動機構下部φ34ICFフランジを通して蒸着材を交換
  (ロッド材料寸法はφ2mm×L40mm)



応用
・高純度単原子層と薄膜の生成
・線状、棒状の高融点金属や最適なルツボ容器を使った広い範囲の材料の蒸発
・単層ならびに多層系のMBE等
・内蔵フラックスモニターによりレート制御されたサブモノレイヤーから薄膜まで蒸着可能










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