株式会社アールデック
PICO-RHEED English Page >>
PICO-RHEED
Low emission Reflection High-Energy Electron Diffraction
有機薄膜用低エミッション型
高速反射電子回折装置

(RoHS指令準拠)
 有機薄膜材料向け
発売以来多くの研究所にてお使い頂いているアールデックのRHEEDに新製品がラインナップされました。
PICO-RHEEDは低エミッション型RHEEDにMCPスクリーンを用いる事で、電子線による試料ダメージを大幅に軽減すると同時に、輝度の高い反射電子回折像が観察できます。
有機薄膜材料などの結晶構造解析にお使い頂けます。

 特長
・ 試料ダメージ大幅軽減(1/500~1/2800:当社比)
・ MCPスクリーンを採用
・ RoHS指令に準拠
・ インターロック安全機構付
・ kSA400 RHEED画像・映像解析システム互換

有機薄膜観察像(参考)
・ 蒸着物 :亜鉛フタロシアニン(ZnPc)
          (ストリーク状回折像)
・ 加速電圧:20KV
産総研、JSTさきがけ當摩様よりご提供
 
特願2011-094239 反射高速電子回折方法
特願2011-094240 反射高速電子回折装置



MCPスクリーン:RDA-100M

観察窓 ICF152
MCP 有効径φ77
入力端子 MHVx3
取り付けフランジ ICF152(ICF203も有ります)
  蒸着防止シャッター放射線遮断用カバー付き
          (真空保持用フランジ付属)


低エミッション型電子銃:RDA-100G

最小ビームスポット径 φ90μm
フィラメント φ0.1W ヘアピン型
ウェネルト 可変バイアス式
収束レンズ 空芯型電磁レンズ
偏向レンズ トロイダル電磁レンズ
軸合わせ機構 フィラメント、ウェネルト軸合わせ
絶縁耐圧 DC30KV
許容リーク量 <1.33×10-11Pa・m3/sec.
ベーキング温度 200℃
取り付けフランジ ICF70
外形寸法 φ100×401mm(+100mm)


コントローラ : RDA-100P

加速電圧 0~-30KV 定電圧電源160μA Ripple 0.03%以下
フィラメント電圧 0~5V 定電圧電源2A(MAX)  Ripple 0.05%以下
偏向レンズ電圧 ±1A 定電流電源±1V Ripple 0.05%以下
収束レンズ電圧 ±0~1.5A 定電流電源0~22V
バイアス電圧 0~-470V/6mA可変
出力CH1電圧 DC0~+4KV/1mA (デジタル表示)
出力CH2電圧 DC0~+1KV/1mA (デジタル表示)
出力ケーブル 各5m出力ケーブル
入力電力 AC100V
寸法 480x199x500mm(+100mm) (JISラックマウント)

Copyright(c)1988-2016 R-DEC Co.,Ltd. All Rights Reserved.