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PICO-RHEED
低エミッション型
高速反射電子回折装置
(RoHS指令準拠)
有機薄膜材料向け
発売以来多くの研究所にてお使い頂いているアールデックのRHEEDに新製品がラインナップされました。
PICO-RHEEDは低エミッション型RHEEDにMCPスクリーンを用いる事で、電子線による試料ダメージを大幅に軽減すると同時に、輝度の高い反射電子回折像が観察できます。
有機薄膜材料などの結晶構造解析にお使い頂けます。
特長
・ 試料ダメージ大幅軽減(1/500〜1/2800:当社比)
・ MCPスクリーンを採用
・ RoHS指令に準拠
・ インターロック安全機構付
・ kSA400 RHEED画像・映像解析システム互換
有機薄膜観察像(参考)
・ 蒸着物 :亜鉛フタロシアニン(ZnPc)
(ストリーク状回折像)
・ 加速電圧:20KV
産総研、JSTさきがけ當摩様よりご提供
特願2011-094239 反射高速電子回折方法
特願2011-094240 反射高速電子回折装置
MCPスクリーン:RDA-100M
観察窓
ICF152
MCP
有効径φ77
入力端子
MHVx3
取り付けフランジ
ICF152(ICF203も有ります)
蒸着防止シャッター放射線遮断用カバー付き
(真空保持用フランジ付属)
低エミッション型電子銃:RDA-100G
最小ビームスポット径
φ90μm
フィラメント
φ0.1W ヘアピン型
ウェネルト
可変バイアス式
収束レンズ
空芯型電磁レンズ
偏向レンズ
トロイダル電磁レンズ
軸合わせ機構
フィラメント、ウェネルト軸合わせ
絶縁耐圧
DC30KV
許容リーク量
<1.33×10
-11
Pa・m
3
/sec.
ベーキング温度
200℃
取り付けフランジ
ICF70
外形寸法
φ100×401mm(+100mm)
コントローラ : RDA-100P
加速電圧
0〜-30KV 定電圧電源160μA Ripple 0.03%以下
フィラメント電圧
0〜5V 定電圧電源2A(MAX) Ripple 0.05%以下
偏向レンズ電圧
±1A 定電流電源±1V Ripple 0.05%以下
収束レンズ電圧
±0〜1.5A 定電流電源0〜22V
バイアス電圧
0〜-470V/6mA可変
出力CH1電圧
DC0〜+4KV/1mA (デジタル表示)
出力CH2電圧
DC0〜+1KV/1mA (デジタル表示)
出力ケーブル
各5m出力ケーブル
入力電力
AC100V
寸法
480x199x500mm(+100mm) (JISラックマウント)