株式会社アールデック
k-Space Associstes, Inc.
in-situ ウェハ表面モニタ

k-Space社はMBE、スパッタ装置、PVD、MOCVD、MOVPEなどの薄膜蒸着装置の基板、薄膜表面のin-situ測定システムの設計、製造、販売を目的として
米国ミシガン州に1992年に設立されました。




kSA400 RHEED 解析システム       

スタティックなデータ取得や分析だけでなく、リアルタイムデータの分析や解析も可能です。
結晶格子間隔、原子間距離、ひずみ変化、成長率、膜厚、コヒレンスレングスなどの情報をマウスで簡単に得られます。
kSA400は、お客様のRHEED(高速反射電子回折)パターンからあらゆる情報を 引き出し解析できるよう開発されました。
静的回折パターンについてのみでなく、高速基板回転中であっても素早く完全な結果が得られます。
当システムは、産業標準規格に準拠しています。
12ビットCCDカメラ(50フレーム/秒)、フランジマウント、ワークステーションコンピュータ、
TFTディスプレーから構成されています。

【参考論文】In-poter InN MBE成長(立命館大)





kSA MOS リアルタイム基板ひずみ・応力モニター

kSA MOS (マルチビーム・オプティカル・センサー) は、基板のひずみをリアルタイムモニターすることが可能なシステムです。
測定は2D平行配列ビームによるサンプル照射、CCDカメラによるビーム位置の測定、取得画像のビーム間距離変化を見て
薄膜にかかる応力、ひずみ、膜厚、成長レートを測定します。
薄膜へのストレスは基板のひずみを引き起こします。
MOSシステムはMOCVD、MBE等の基板上の薄膜にビームをあて、その偏光をモニターし光学的にひずみを測定します。
研究・開発のみならず、製造プロセスにおいても薄膜作成過程をリアルタイムモニターするシステムとして使用できます。



【参考論文】MOVPE高効率格子不整合太陽電池(NREL)

【参考論文】SiドープALGaN on Si (ペンシルベニア大)




kSA BandiT リアルタイムウェハ温度モニター

kSA BandiTは全波長を同時に取得可能な最新高感度分光計により、
Si・GaN・GaAs・ZnO・ZnSe・ZnTe・SiC・InP・CdTe・CdSe 等の
半導体材質のウェハ温度を高精度にリアルタイムでモニターする ことが可能なシステムです。
チャンバー内設置部品が無く、非接触で光学的に低温から高温まで材料の各バンドギャップ範囲に合わせて温度測定します。
当システムは、ライトソース、ディテクター、および分光計から構成 されています。

アプリケーションノート
Veeco k465i MOCVDへのインストール例 (GaN)

 

【参考論文】GaMnAsのMBE成長時の温度測定(チェコ科学アカデミー)

【参考論文】InPウェハ表面温度測定(MBE) Bard Edge VS 放射温度計(Pico Metrix社)




kSA ICE MOCVD用in-situひずみ・応力・温度・反射率・膜厚測定システム
GaN(LED、パワーデバイス)のMOCVD成膜中のin-situ測定に特化した製品です。
必要機能に応じて以下から選択でき、後にアップグレードすることも可能です。

kSA ICE 反射率・黒体輻射温度・ひずみ・応力
kSA ICE-R 反射率
kSA ICE-RB 反射率・黒体輻射温度
kSA ICE-RC 反射率・ひずみ・応力
kSA Blue ICE 反射率・黒体輻射温度・ひずみ・応力・GaN薄膜表面温度・膜厚・粗度



kSA RateRat Pro 蒸着レートモニター&コントロール

kSA RateRat Proは、MOCVD・MBE・スパッタリング等において
、リアルタイムで蒸着レートのモニター及びコントロールができるシステムです。
蒸着率・膜厚・光学定数を先進のプロセスコントロールソフトウェアで リアルタイム計算し、複雑な多層膜でも、
容易に正確な蒸着レートのモニターが可能です。
当システムは薄膜蒸着中の反射データを取得するために658nm (オプションで407nm)のレーザー(蒸着する材質により選択)、
高速フォトディテクタ、高速16ビットデータ取得ボード、レーザーモジュレータ (変調器)から構成されています。

アプリケーションノート
トーマス・スワン MOCVDへのインストール例 (GaN)

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